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元件参数资料
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参数目录41103
> 2N7002E-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
型号:
2N7002E-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
2N7002E-T1-GE3 PDF
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
240mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3 欧姆 @ 250mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
21pF @ 5V
功率 - 最大
350mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
TO-236
包装
带卷 (TR)
查看2N7002E-T1-GE3代理商
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